收藏本站
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2040
1880
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 50 Watts Avg.
1900 20201980
2000
1940
1920
10
18
17
16
15
14
13
12
11
-- 2 . 5
35
34
33
32
31
-- 1
-- 1 . 5
-- 2
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
1960
VDD=28Vdc,Pout
=50W(Avg.),IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2040
1880
IRL
Gps
12
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 84 Watts Avg.
1900 20201980
2000
1940
1920
10
18
17
ηD
16
15
14
13
11
-- 4 . 2
44
43
42
41
40
-- 3
-- 3 . 4
-- 3 . 8
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
1960
VDD=28Vdc,Pout
=84W(Avg.),IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 7.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
15
19
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
1750 mA
700 mA
1400 mA
1050 mA
IDQ
= 2100 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
100
-- 6 0
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
400
1750 mA
1400 mA
1050 mA
IDQ
= 700 mA
2100 mA
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF7S19210HSR5 MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S
MRF7S21080HSR5 MOSFET RF N-CH 22W NI-780S
MRF7S21110HSR5 MOSFET RF N-CH 33W NI-780S
MRF7S21150HSR5 MOSFET RF N-CH 150W NI780S
MRF7S21170HR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880
MRF7S21210HSR5 MOSFET RF N-CH 63W NI-780S
MRF7S27130HSR5 MOSFET RF N-CH 23W NI-780S
MRF7S35015HSR5 MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240
相关代理商/技术参数
MRF7S19210HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19210HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19210HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19210HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21080HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21080HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21080HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21080HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray